色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > ESM2012DV

ESM2012DV

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: ISOTOP?
數量：: 7452
說明：: 達林頓晶體管 NPN Darl Power Mod

一、本商品被瀏覽0次.

ESM2012DV PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：ISOTOP
安裝類型：底座安裝
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：-
功率 - 最大值：175 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：1200 @ 100A，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：-
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1.5V @ 1A，100A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：120 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：120 A
晶體管類型：NPN - 達林頓
產品狀態：停產
包裝：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是ESM2012DV的詳細信息，包括ESM2012DV廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：