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EMB51T2R

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: EMT6
數(shù)量：: 5517
說(shuō)明：: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMB51T2R PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：150mW
頻率 - 躍遷：250MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：150mV @ 500μA，5mA
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：22 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：22 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30mA
晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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