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DTB743EMT2L

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 VMT3
數量:
 1062  
說明:
 TRAN DIGITAL PNP 30V 200MA VMT3
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DTB743EMT2L-VMT3圖片

DTB743EMT2L PDF參數資料

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中文參數如下:
晶體管類型:PNP - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)(最大):200mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V
電阻器 - 基極 (R1)(歐):4.7K
電阻器 - 發射極 (R2)(歐):4.7K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):115 @ 100mA, 2V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - 集電極截止(最大):500nA
頻率 - 轉換:260MHz
功率 - 最大:150mW
安裝類型:表面貼裝

以上是DTB743EMT2L的詳細信息,包括DTB743EMT2L廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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