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DTB123YUT106

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: UMT3
數(shù)量：: 1415
說(shuō)明：: TRAN DIGITL PNP 50V 500MA UMT3

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DTB123YUT106 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：500mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）：2.2K
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）：10K
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)：56 @ 50mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - 集電極截止（最大）：500nA
頻率 - 轉(zhuǎn)換：200MHz
功率 - 最大：200mW
安裝類型：表面貼裝

以上是DTB123YUT106的詳細(xì)信息，包括DTB123YUT106廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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