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DTA114ECAT116

廠家:
  Rohm Semiconductor
封裝:
 SST3
數量:
 864  
說明:
 TRANS DGTL BJT PNP 100MA 3SST3
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DTA114ECAT116-SST3圖片

DTA114ECAT116 PDF參數資料

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中文參數如下:

晶體管類型:PNP - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)(最大):50mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器 - 基極 (R1)(歐):10K
電阻器 - 發射極 (R2)(歐):10K
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):30 @ 5mA, 5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA, 10mA
電流 - 集電極截止(最大):500nA
頻率 - 轉換:250MHz
功率 - 最大:200mW
安裝類型:表面貼裝

以上是DTA114ECAT116的詳細信息,包括DTA114ECAT116廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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