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DMPH1006UPSQ-13

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: PowerDI5060-8
數量：: 1647
說明：: MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8

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DMPH1006UPSQ-13 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.2W
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6334 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：124 nC @ 8 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：6 毫歐 @ 15A，4.5V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：80A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：12 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Diodes Incorporated

以上是DMPH1006UPSQ-13的詳細信息，包括DMPH1006UPSQ-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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