色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > DMNH6010SCTBQ-13

DMNH6010SCTBQ-13

廠家：: Diodes Incorporated
封裝：: TO-263AB（D2PAK）
數量：: 2385
說明：: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

一、本商品被瀏覽0次.

DMNH6010SCTBQ-13 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：5W（Ta），375W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2692 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 25A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：133A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：Diodes Incorporated

以上是DMNH6010SCTBQ-13的詳細信息，包括DMNH6010SCTBQ-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1