色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: SOT-563
數(shù)量：: 148845
說明：: MOSFET Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA

一、本商品被瀏覽0次.

DMN63D8LV-7 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：12 ns
上升時間：3.2 ns
功率耗散：450 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：0.87 nC
下降時間：6.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-563
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：260 mA
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Diodes Inc.

以上是DMN63D8LV-7的詳細(xì)信息，包括DMN63D8LV-7廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ