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DMN4009LK3-13

廠家:
  Diodes Incorporated
封裝:
 TO-252-3
數(shù)量:
 5994  
說明:
 MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
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DMN4009LK3-13-TO-252-3圖片

DMN4009LK3-13 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫歐 @ 14A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)40V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C18A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 2072pF @ 20V
功率 - 最大2.19W
安裝類型表面貼裝

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