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DMN3033LSD-13

廠家:
  Diodes Inc.
封裝:
 8-SO
數量:
 7836  
說明:
 MOSFET NMOS-DUAL
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DMN3033LSD-13-8-SO圖片

DMN3033LSD-13 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:63 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:7 ns
功率耗散:2000 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.022 Ohms
漏極連續電流:6.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是DMN3033LSD-13的詳細信息,包括DMN3033LSD-13廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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