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DMN26D0UFB4-7

廠家:
  Diodes Inc.
封裝:
 3-XFDFN
數量:
 33838  
說明:
 MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
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DMN26D0UFB4-7-3-XFDFN圖片

DMN26D0UFB4-7 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:29 ns
功率耗散:350 mW
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :0.242 S
包裝形式:Reel
封裝形式:DFN1006
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.8 Ohms
漏極連續電流:230 mA
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Diodes Inc.

以上是DMN26D0UFB4-7的詳細信息,包括DMN26D0UFB4-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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