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DMMT5551S-7

廠家:
  Diodes Inc.
封裝:
 SOT-26
數量:
 7848  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR
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DMMT5551S-7-SOT-26圖片

DMMT5551S-7 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:300 mW
封裝形式:SOT-26
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:80 at 1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT:300 MHz
最大直流電集電極電流:0.2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:160 V
集電極—基極電壓 VCBO:180 V
晶體管極性:NPN
配置:Dual
RoHS:否
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:Diodes Inc.

以上是DMMT5551S-7的詳細信息,包括DMMT5551S-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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