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DMG4406LSS-13

廠家:
  Diodes Inc.
封裝:
 8-SO
數(shù)量:
 5130  
說明:
 MOSFET N-Ch ENH 30V 11mOhm 10.3A 10V VGS
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DMG4406LSS-13-8-SO圖片

DMG4406LSS-13 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:22.3 ns
上升時間:21.2 ns
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:12.5 nC
下降時間:5.1 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):12 mOhms at 10 A, 4.5 V
漏極連續(xù)電流:9.3 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Diodes Inc.

以上是DMG4406LSS-13的詳細信息,包括DMG4406LSS-13廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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