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DI9400T

廠家:
  Diodes Incorporated
封裝:
 -
數量:
 4168  
說明:
 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
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DI9400T--圖片

DI9400T PDF參數資料

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中文參數如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 350pF @ 10V
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝

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