色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > DDA114EU-7

DDA114EU-7

廠家：: Diodes Inc.
封裝：: -
數量：: 12782
說明：: 開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 200mW

一、本商品被瀏覽0次.

DDA114EU-7 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
發射極 - 基極電壓 VEBO：- 5 V
包裝形式：Reel
功率耗散：0.2 W
峰值直流集電極電流：100 mA
集電極連續電流：- 0.1 A
直流集電極/Base Gain hfe Min：100
封裝形式：SOT-363-6
安裝風格：SMD/SMT
典型電阻器比率：1
典型輸入電阻器：10 KOhms
晶體管極性：PNP
配置：Dual
RoHS：否
產品種類：開關晶體管 - 偏壓電阻器
制造商：Diodes Inc.

以上是DDA114EU-7的詳細信息，包括DDA114EU-7廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：