色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內(nèi)存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > CY7C1312TV18-250BZC

CY7C1312TV18-250BZC

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 165-FBGA（13x15）
數(shù)量：: 8919
說明：: IC SRAM 1MX18 QDRII 165-FBGA

一、本商品被瀏覽0次.

CY7C1312TV18-250BZC PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：165-FBGA（13x15）
封裝/外殼：165-LBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
電壓 - 供電：1.7V ~ 1.9V
訪問時間：-
寫周期時間 - 字，頁：-
時鐘頻率：250 MHz
存儲器接口：并聯(lián)
存儲器組織：1M x 18
存儲容量：18Mb
技術：SRAM - 同步，QDR II
存儲器格式：SRAM
存儲器類型：易失
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：袋
品牌：Infineon Technologies

以上是CY7C1312TV18-250BZC的詳細信息，包括CY7C1312TV18-250BZC廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他內(nèi)存產(chǎn)品：

NVRAM 閃存動態(tài)隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產(chǎn)品：

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D TR

MT53D1536M32D6BE-046 WT:D

MT40A4G4NEA-062E:J

MSM5117405F-60T-DKX

S-93C76CD0I-J8T1U3

IS62WVS5128FALL-16NLI

IS62WVS5128FALL-16NLI-TR