色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > CY7C1061GE30-10ZSXI

CY7C1061GE30-10ZSXI

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 54-TSOP II
數量：: 2975
說明：: IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II

一、本商品被瀏覽0次.

CY7C1061GE30-10ZSXI PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：54-TSOP II
封裝/外殼：54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：2.2V ~ 3.6V
訪問時間：10 ns
寫周期時間 - 字，頁：10ns
時鐘頻率：-
存儲器接口：并聯
存儲器組織：1M x 16
存儲容量：16Mb
技術：SRAM - 異步
存儲器格式：SRAM
存儲器類型：易失
產品狀態：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：Infineon Technologies

以上是CY7C1061GE30-10ZSXI的詳細信息，包括CY7C1061GE30-10ZSXI廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：

48L256-I/SN

MX25L6433FXDQ-09G

MT41K512M16HA-107 IT:A

MT41K512M16HA-107:A

GD5F4GQ6RF9IGY

IS61WV1288EEBLL-8TLI

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D

MT53D1024M32D4BD-046 WT:D TR