色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > CTLDM303N-M832DS TR

CTLDM303N-M832DS TR

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TLM832DS
數量：: 4185
說明：: MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual N-Ch Enhanced

一、本商品被瀏覽0次.

CTLDM303N-M832DS TR PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

功率耗散：1.65 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：11.8 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TLM832DS
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.04 Ohms
漏極連續電流：3.6 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Central Semiconductor

以上是CTLDM303N-M832DS TR的詳細信息，包括CTLDM303N-M832DS TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1