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CSD18532Q5B

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-PowerTDFN
數量:
 1242  
說明:
 MOSFET 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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CSD18532Q5B-8-PowerTDFN圖片

CSD18532Q5B PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:22 ns
商標名:NexFET
上升時間:7.2 ns
功率耗散:3.2 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:21 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :143 S
下降時間:3.1 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.3 mOhms
漏極連續電流:172 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Texas Instruments

以上是CSD18532Q5B的詳細信息,包括CSD18532Q5B廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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