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CSD16412Q5A

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 8-PowerTDFN
數量:
 10026  
說明:
 MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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CSD16412Q5A-8-PowerTDFN圖片

CSD16412Q5A PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:5.7 ns
商標名:NexFET
工廠包裝數量:2500
上升時間:7.1 ns
功率耗散:3 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :33 S
下降時間:3.3 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:QFN-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):9 mOhms
漏極連續電流:52 A
閘/源擊穿電壓:- 12 V, + 16 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是CSD16412Q5A的詳細信息,包括CSD16412Q5A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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