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CMPT591E

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: SOT-23
數量：: 954
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Enhanced

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CMPT591E PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：350 mW
集電極連續電流：0.45 A
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT：150 MHz
最大直流電集電極電流：1 A
集電極—射極飽和電壓：60 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：60 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：過渡期間
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是CMPT591E的詳細信息，包括CMPT591E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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