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CFY25-23 (P)

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: Micro-X
數(shù)量：: 8334
說(shuō)明：: 射頻GaAs晶體管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET

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CFY25-23 (P) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：CFY2523PNZ
P1dB：15 dBm
封裝形式：Micro-X
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作溫度：+ 175 C
漏極連續(xù)電流：80 mA
閘/源擊穿電壓：- 5 V to 0.5 V
漏源電壓 VDS：5 V
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：40 mS
噪聲系數(shù)：2.2 dB
增益：8.7 dB
頻率：12 GHz
技術(shù)類型：MESFET
RoHS：否
制造商：Infineon

以上是CFY25-23 (P)的詳細(xì)信息，包括CFY25-23 (P)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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