色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BUZ31 H

BUZ31 H

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO-220-3
數量：: 2052
說明：: MOSFET N-Channel 200V Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

BUZ31 H PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：BUZ31HXK BUZ31HXKSA1 SP000682992
典型關閉延遲時間：150 nS
上升時間：50 nS
功率耗散：95 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：60 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：PG-TO-220-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.2 Ohms at 5 V
漏極連續電流：14.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BUZ31 H的詳細信息，包括BUZ31 H廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1