中文參數如下：
工廠包裝數量：20
包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：350000 mW
封裝形式：TO-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
增益帶寬產品fT：16 MHz
最大直流電集電極電流：60 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：10 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：250 V
集電極—基極電壓 VCBO：350 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics
以上是BUR52的詳細信息，包括BUR52廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
