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BULD1101ET4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: DPAK
數量：: 7749
說明：: 兩極晶體管 - BJT Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor

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BULD1101ET4 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2500
包裝形式：Reel
最大功率耗散：35000 mW
封裝形式：DPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
最大直流電集電極電流：3 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：12 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：450 V
晶體管極性：NPN
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：STMicroelectronics

以上是BULD1101ET4的詳細信息，包括BULD1101ET4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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