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BUK965R8-100E,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數量：: 8455
說明：: MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET

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BUK965R8-100E,118 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：800
功率耗散：357 W
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：5.8 mOhms
漏極連續電流：120 A
閘/源擊穿電壓：2.1 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是BUK965R8-100E,118的詳細信息，包括BUK965R8-100E,118廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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