色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BU407HTU

BU407HTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220
數量：: 1881
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

一、本商品被瀏覽0次.

BU407HTU PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：50
包裝形式：Tube
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：60 W
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
增益帶寬產品fT：10 MHz
最大直流電集電極電流：7 A
集電極—射極飽和電壓：150 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：150 V
集電極—基極電壓 VCBO：330 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BU407HTU的詳細信息，包括BU407HTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：