色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="maosa"></strike>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSZ42DN25NS3 G

BSZ42DN25NS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON-8
數量：: 5025
說明：: MOSFET N-Channel 250V MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

BSZ42DN25NS3 G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3GXT SP000781796
典型關閉延遲時間：8 nS
上升時間：2 nS
功率耗散：33.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：4.2 nC
下降時間：5 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：425 mOhms at 10 V
漏極連續電流：5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSZ42DN25NS3 G的詳細信息，包括BSZ42DN25NS3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1