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BSZ100N06LS3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON
數(shù)量：: 3651
說明：: MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH

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BSZ100N06LS3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSZ100N06LS3GATMA1 BSZ100N06LS3GXT SP000453672
典型關(guān)閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數(shù)量：5000
功率耗散：2100 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：10 mOhms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSZ100N06LS3 G的詳細信息，包括BSZ100N06LS3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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