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BSZ0901NSI

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8
數量：: 11595
說明：: MOSFET N-CH 30V 0.9mOhm

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BSZ0901NSI PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：BSZ0901NSIATMA1 BSZ0901NSIXT SP000853566
典型關閉延遲時間：27 nS
上升時間：7.2 ns
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：41 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：50 S
下降時間：4.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.1 mOhms at 10 V
漏極連續電流：40 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSZ0901NSI的詳細信息，包括BSZ0901NSI廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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