色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > BST61,115

BST61,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-89
數量：: 2558
說明：: 達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON

一、本商品被瀏覽0次.

BST61,115 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-243AA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：200MHz
功率 - 最大值：1.3 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：2000 @ 500mA，10V
電流 - 集電極截止（最大值）：50nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1.3V @ 500μA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1 A
晶體管類型：PNP - 達林頓
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Nexperia USA Inc.

以上是BST61,115的詳細信息，包括BST61,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：