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BSS84P-E6327

廠(chǎng)家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數(shù)量:
 1503  
說(shuō)明:
 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
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BSS84P-E6327-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

BSS84P-E6327 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 歐姆 @ 170mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:170mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):2V @ 20µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:1.5nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :19pF @ 25V
功率 - 最大:360mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝

以上是BSS84P-E6327的詳細(xì)信息,包括BSS84P-E6327廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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