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BSR58LT1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 SOT-23-3（TO-236）
數量：
 1080  
說明：
 JFET 40V 10mA
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BSR58LT1G-SOT-23-3（TO-236）圖片

BSR58LT1G PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝：SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：350 mW
電阻 - RDS(On)：60 Ohms
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
不同 Id 時電壓 - 截止 (VGS off)：800 mV @ 1 μA
漏極電流 (Id) - 最大值：-
不同 Vds (Vgs=0) 時電流 - 漏極 (Idss)：8 mA @ 15 V
漏源電壓（Vdss）：-
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)：40 V
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是BSR58LT1G的詳細信息，包括BSR58LT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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