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BSP295E6327T

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-SOT223-4
數量：
 8163  
說明：
 MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
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BSP295E6327T-PG-SOT223-4圖片

BSP295E6327T PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：300 毫歐 @ 1.8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：1.8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：368pF @ 25V
功率 - 最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝

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