色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<pre id="2sw2k"></pre>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSP171PE6327

BSP171PE6327

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數量：: 4698
說明：

一、本商品被瀏覽0次.

BSP171PE6327 PDF參數資料

中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：460 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 460μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：300 毫歐 @ 1.9A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1.9A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產品狀態：停產
包裝：SIPMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
品牌：Infineon Technologies

以上是BSP171PE6327的詳細信息，包括BSP171PE6327廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ