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BSP149 E6327

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-261-4,TO-261AA
數量:
 7938  
說明:
 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
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BSP149 E6327-TO-261-4,TO-261AA圖片

BSP149 E6327 PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:耗盡模式
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.8 歐姆 @ 660mA, 10v
漏極至源極電壓(Vdss):200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:660mA
Id 時的 Vgs(th)(最大):1V @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:14nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :430pF @ 25V
功率 - 最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝

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