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BSP129E6327T

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-SOT223-4
數(shù)量:
 7875  
說明:
 MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223
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BSP129E6327T-PG-SOT223-4圖片

BSP129E6327T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):耗盡模式
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6 歐姆 @ 350mA, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):240V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:350mA
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):1V @ 108µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:5.7nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :108pF @ 25V
功率 - 最大:1.8W
安裝類型:表面貼裝

以上是BSP129E6327T的詳細(xì)信息,包括BSP129E6327T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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