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BSO 612 CV G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 DSO-8
數量:
 2223  
說明:
 MOSFET
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BSO 612 CV G PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:25 ns, 145 ns
上升時間:35 ns, 60 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns, 95 ns
封裝形式:DSO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.12 Ohms
漏極連續電流:3 A, - 2 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N and P-Channel
制造商:Infineon

以上是BSO 612 CV G的詳細信息,包括BSO 612 CV G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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