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BSO612CV

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-DSO-8
數(shù)量：: 54
說明：: MOSFET N/P Channel 60V/-60V

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BSO612CV PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：25 ns, 145 ns
上升時(shí)間：35 ns, 60 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：4 S / 2 S
下降時(shí)間：30 ns, 95 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DSO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：90 mOhms, 220 mOhms
漏極連續(xù)電流：3 A, - 2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V / - 60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSO612CV的詳細(xì)信息，包括BSO612CV廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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