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BSO215C

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 8-SO
數(shù)量:
 8991  
說(shuō)明:
 MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC
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BSO215C-8-SO圖片

BSO215C PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 3.7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2V @ 10µA
閘電荷(Qg) @ Vgs11.5nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.7A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 246pF @ 25V
功率 - 最大2W
安裝類型表面貼裝

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