色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > BSM35GD120DN2E3224

BSM35GD120DN2E3224

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: EconoPACK 2
數(shù)量：: 5398
說(shuō)明：: IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 50A

一、本商品被瀏覽0次.

BSM35GD120DN2E3224 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

安裝風(fēng)格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
包裝形式：Reel
封裝形式：EconoPACK 2
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：280 W
柵極—射極漏泄電流：150 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流：50 A
集電極—射極飽和電壓：2.7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
制造商：Infineon

以上是BSM35GD120DN2E3224的詳細(xì)信息，包括BSM35GD120DN2E3224廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

最新產(chǎn)品：