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BSM300D12P3E005

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 模塊
數量：: 4623
說明：: SILICON CARBIDE POWER MODULE. B

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BSM300D12P3E005 PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：1260W（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：14000pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 91mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：300A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 個 N 通道（半橋）
技術：碳化硅（SiC）
產品狀態：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Rohm Semiconductor

以上是BSM300D12P3E005的詳細信息，包括BSM300D12P3E005廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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