色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 模塊 > BSM200GAR120DN2

BSM200GAR120DN2

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: HB 200GAR
數量：: 5211
說明：: IGBT 模塊 1200V 200A GAR CH

一、本商品被瀏覽0次.

BSM200GAR120DN2 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：500
安裝風格：Screw
柵極/發射極最大電壓：20 V
封裝形式：HB 200GAR
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：1.4 KW
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續集電極電流：290 A
集電極—射極飽和電壓：2.5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Single
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是BSM200GAR120DN2的詳細信息，包括BSM200GAR120DN2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器