BSM180D12P2E002

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 模塊
數(shù)量：: 4589
說明：: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO

一、本商品被瀏覽0次.

BSM180D12P2E002 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率 - 最大值：1360W（Tc）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：18000pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：204A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 個 N 通道（半橋）
技術：碳化硅（SiC）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：散裝
品牌：Rohm Semiconductor

以上是BSM180D12P2E002的詳細信息，包括BSM180D12P2E002廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1