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BSM100GAR120DN2

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 IS6a ( 62 mm )-5
數(shù)量:
 4617  
說明:
 IGBT 晶體管 1200V 100A DUAL
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BSM100GAR120DN2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:500
安裝風格:Screw
最小工作溫度:- 40 C
封裝形式:IS6a ( 62 mm )-5
最大工作溫度:+ 150 C
功率耗散:800 W
柵極—射極漏泄電流:400 nA
在25 C的連續(xù)集電極電流:100 A
柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓:2.5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
配置:Single
RoHS:否
產(chǎn)品種類:IGBT 晶體管
制造商:Infineon

以上是BSM100GAR120DN2的詳細信息,包括BSM100GAR120DN2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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