色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSH111,215

BSH111,215

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-236AB
數量：: 8721
說明：: MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA

一、本商品被瀏覽0次.

BSH111,215 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：BSH111 T/R
典型關閉延遲時間：11 ns
工廠包裝數量：3000
功率耗散：0.83 W
最小工作溫度：- 65 C
柵極電荷 Qg：0.05 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：380 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.4 Ohms
漏極連續電流：335 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是BSH111,215的詳細信息，包括BSH111,215廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ