色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSC084P03NS3E G

BSC084P03NS3E G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TDSON-8
數量：: 4005
說明：: MOSFET P-Channel -30V MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

BSC084P03NS3E G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3EGXT SP000473012
典型關閉延遲時間：33.3 nS
上升時間：133.5 nS
功率耗散：69 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：43.4 nC
下降時間：8.1 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8.4 mOhms at - 10 V
漏極連續電流：- 78.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Infineon

以上是BSC084P03NS3E G的詳細信息，包括BSC084P03NS3E G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1