色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSC025N03MS G

BSC025N03MS G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TSDSON-8
數(shù)量：: 1271
說明：: MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET 30V 100A

一、本商品被瀏覽0次.

BSC025N03MS G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：BSC025N03MSGATMA1 BSC025N03MSGXT SP000311505
典型關(guān)閉延遲時間：29 ns
上升時間：11 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSDSON-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0025 Ohms
漏極連續(xù)電流：23 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC025N03MS G的詳細信息，包括BSC025N03MS G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ