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BS7067N06LS3G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TSDSON-8
數量：: 8559
說明：: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

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BS7067N06LS3G PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.7 毫歐 @ 20A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)60V
Id 時的 Vgs(th)（最大）2.2V @ 35µA
閘電荷(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C20A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 4800pF @ 30V
功率 - 最大78W
安裝類型表面貼裝

以上是BS7067N06LS3G的詳細信息，包括BS7067N06LS3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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