色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > BS170_D27Z

BS170_D27Z

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3 Kinked Lead
數(shù)量：: 19538
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect

一、本商品被瀏覽0次.

BS170_D27Z PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2000
功率耗散：830 mW
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.32 S
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-92-3 Kinked Lead
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：500 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是BS170_D27Z的詳細(xì)信息，包括BS170_D27Z廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ